设计万宁矿用变压器时防止 EMI 的 22 个措施

设计万宁矿用变压器时防止 EMI 的 22 个措施 作为工作于状态的能量转换装置，万宁矿用变压器的电压、电流变化率很高，产生的干扰强度较大； 干扰源主要集中在功率期间以及与之相连的散热器和高平变压器，相对于数字电路干扰源的位置 较为清楚；频率不高（从几十千赫和数兆赫兹），主要的干扰形式是传导干扰和近场干扰；而印 刷线路板（PCB）走线通常采用手工布线，具有更大的随意性，这增加了PCB 分布参数的提取和近场 干扰估计的难度。
1MHZ 以内----以差模干扰为主，增大 X 电容就可解决1MHZ---5MHZ---差模共模混合，采用输入端并一系列 X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标 并解决;5M---以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。对于外壳接地的，在地线上用一个磁环绕 2 圈 会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减（diudiu2006）;对于 25--30MHZ 不过可以采用加大对地 Y 电容、 在变压器外面包铜皮、改变 PCBLAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环，最少绕 10 圈、在输 出整流管两端并 RC 滤波器。
30---50MHZ 普遍是 MOS 管高速开通关断引起，可以用增大 MOS 驱动电阻，RCD 缓冲电路采用 1N4007 慢管，VCC 供电电压用 1N4007 慢管来解决。
100---200MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起，可以在整流管上串磁珠
100MHz-200MHz 之间大部分出于 PFCMOSFET 及PFC 二极管，现在 MOSFET 及 PFC 二极管串磁 珠有效果，水平方向基本可以解决问题，但垂直方向就很无奈了万宁矿用变压器的辐射一般只会影响到 100M 以下的频段。也可以在 MOS，二极管上加相应吸收回路，但效率 会有所降低。

设计万宁矿用变压器时防止 EMI 的措施
1.把噪音电路节点的 PCB 铜箔面积******限度地减小;如管的漏极、集电极，初次级绕组的节点，等。
2.使输入和输出端远离噪音元件，如变压器线包，变压器磁芯，管的散热片，等等。
3.使噪音元件（如未遮蔽的变压器线包，未遮蔽的变压器磁芯，和管，等等）远离外壳边缘，因为在正常操作下外壳边缘很可能靠近外面的接地线。
4.如果变压器没有使用电场屏蔽，要保持屏蔽体和散热片远离变压器。
5.尽量减小以下电流环的面积：次级（输出）整流器，初级功率器件，栅极（基极）驱动线路，辅助整流器。
6.不要将门极（基极）的驱动返馈环路和初级电路或辅助整流电路混在一起。
7.调整优化阻尼电阻值，使它在的死区时间里不产生振铃响声。
8.防止 EMI 滤波电感饱和。
9.使拐弯节点和次级电路的元件远离初级电路的屏蔽体或者管的散热片。
10.保持初级电路的摆动的节点和元件本体远离屏蔽或者散热片。
11.使高频输入的 EMI 滤波器靠近输入电缆或者连接器端。
12.保持高频输出的 EMI 滤波器靠近输出电线端子。
13.使 EMI 滤波器对面的 PCB 板的铜箔和元件本体之间保持一定距离。
14.在辅助线圈的整流器的线路上放一些电阻。
15.在磁棒线圈上并联阻尼电阻。
16.在输出 RF 滤波器两端并联阻尼电阻。
17.在 PCB 设计时允许放 1nF/500V 陶瓷电容器或者还可以是一串电阻，跨接在变压器的初级的静端和辅助绕组之间。
18.保持 EMI 滤波器远离功率变压器;尤其是避免定位在绕包的端部。
19.在 PCB 面积足够的情况下，可在 PCB 上留下放屏蔽绕组用的脚位和放 RC 阻尼器的位置，RC 阻尼器可跨接在屏蔽绕组两端。
20.空间允许的话在功率场效应管的漏极和门极之间放一个小径向引线电容器（米勒电容，10 皮法/1 千伏电容）。
21.空间允许的话放一个小的 RC 阻尼器在输出端。

22.不要把 AC 插座与初级管的散热片靠在一起。

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